La V-NAND 3D 64 couches de Samsung en production

Bientôt 1 To par puce !

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Samsung V-NAND 64 couches

Après avoir présenté la technologie et quelques puces de démonstration en août 2016, Samsung vient d’annoncer lancer la production de masse de sa V-NAND (la NAND 3D selon Samsung) à 64 couches et qui va peu à peu remplacer celle en 48 couches sur les produits à venir.

Cette 4ème génération de V-NAND, utilise pour l’instant des die de 256 Gb (32 Go), comme la V-NAND précédente, mais le constructeur a déjà prévu de passer en production les nouveaux dies de 512 Gb (64 Go) d’ici à la fin de l’année. Avec ces derniers, la densité atteindra 3,97 Go/mm² et nous aurons droit à des chips individuels de 1 To ! Quant à l’avenir, Samsung a déjà imaginé comment produire de la NAND 3D à 90 couches ! On parle jusqu’ici de TLC, soit 3 bits par cellule.

Et pour ne rien gâcher, le célèbre constructeur prétend que ces nouvelles puces consomment 30 % de moins (la V-NAND 64 couches est alimentée en 2,5 V au lieu de 3,3 V) tandis que leur fiabilité serait accrue de 20 % !

L’enjeu de cette multiplication des couches est double. D’une part l’augmentation de la densité a pour effet de réduire le prix des SSD puisqu’il est possible de produire plus de chips par wafer de silicium (la logique qui s’applique aux CPU est valable pour n’importe quel microcomposant). D’autre part de continuer la miniaturisation avec des SSD de 512 Go ou 1 To tout petits pour les tablettes et ultraportables ainsi que des modules M.2 de plusieurs To.

Samsung V-NAND 64 couches

Bien qu’en avance, Samsung n’est pas le seul à migrer vers la mémoire 3D à 64 couches. Récemment, Western Digital a présenté avec son partenaire Toshiba un laptop équipé d’un prototype de SSD Toshiba XG3 (le pendant OEM de l’OCZ RD400) équipé d’1 To de BiCS3, leur nouvelle NAND 3D à 64 couches avec, ici aussi, des dies de 512 Gb (les premières puces de NAND 3D présentées en 2016 utilisaient des dies de 256 Gb).

Pour rappel, Western Digital et Toshiba travaillent ensemble sur le développement de la mémoire flash, au moyen de Flash Forward, une société communément crée par Toshiba et Sandisk. Ce dernier ayant été racheté par Western Digital depuis.

L’écart entre Samsung et WD/Toshiba n’est semble-t-il que de quelques mois puisque la production en masse pour ce consortium est annoncée d’ici la fin 2017 en débutant par les OEM, les versions retail pas avant 2018. Les dies 512 Gb de Toshiba ont une densité quasi identique à ceux de Samsung, ils mesurent 132 mm² contre 129, pour une densité de 3,88 Go/mm² au lieu de 3,97 Go/mm². C’est top… quoi qu’inférieur à la 3D NAND de Micron (à ne pas confondre avec la 3D Xpoint développée en partenariat avec Intel) qui culmine à 4,3 Go/mm² avec des petits dies de 256 Gb qui ne mesurent que 59 mm², mais on ne parle pas encore de grosse production.

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